全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)60年！

??科技是當前行業(yè)配置不能忽視的主線，5G 時代物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)帶來的是通信基礎(chǔ)設(shè)施、智能硬件、大數(shù)據(jù)等的變革。下半年以來，5G 牌照發(fā)放，5G 商用推進明顯加快，包括：5G 基站建設(shè)、終端新品發(fā)布等，產(chǎn)業(yè)鏈的投機機會頻現(xiàn)。

??上一輪技術(shù)則是基于計算機和互聯(lián)網(wǎng)的，在整個過程中，以美國為主導(dǎo)涌現(xiàn)了一批高速成長的科技，如英特爾、德州儀器、微軟、谷歌等。在這兩輪的技術(shù)周期中，半導(dǎo)體是承載著技術(shù)的底層基礎(chǔ)硬件。

??復(fù)盤兩輪技術(shù)周期的關(guān)鍵節(jié)點：1958 年德州儀器設(shè)計出款 IC;1971 年的英特爾推出款處理器;1980s 英特爾推出款通用 MPU;1990 年代的互聯(lián)網(wǎng)開啟，2000 年開始的新一輪通信技術(shù)加速;2010 年 4G 帶來的移動物聯(lián)網(wǎng)時代;以及當前(2020s)即將開啟的 5G 物聯(lián)網(wǎng)時代，大約每經(jīng)歷一輪 10 年的周期，就迎來一項新的性技術(shù)，我們認為這背后的是基礎(chǔ)硬件半導(dǎo)體技術(shù)和性能的推動，而半導(dǎo)體摩爾定律的運動則是貫穿技術(shù)的始終。

??在當前我們沿著半導(dǎo)體這條線索，研究上一輪互聯(lián)網(wǎng)下的科技的崛起以及科技股的輪動規(guī)律，試圖推演 5G 時代技術(shù)路徑的演變以及科技行業(yè)的輪動。

??1958 年，美國的德州儀器公司(TI)用 MESA 技術(shù)發(fā)明了款 IC，半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展發(fā)展至今已經(jīng)完整經(jīng)歷了 60 年的周期。在長達 60 年的發(fā)展周期中，半導(dǎo)體經(jīng)歷了多次技術(shù)的飛躍，從小規(guī)模集成(SSI)到中規(guī)模集成(MSI)、大規(guī)模集成(LSI)、超大規(guī)模集成(VLSI)、特大規(guī)模集成(ULSI)，集成度不斷提高。1965 年，英特爾的創(chuàng)始人之一摩爾提出了的摩爾定律(Moore's Law)：當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔 18-24 個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。整個半導(dǎo)體的發(fā)展的周期，就是不斷驗證和追趕摩爾定律的過程。

??每 8-10 年一次技術(shù)的升級意味著全球化的再次分工，同時伴隨著產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移。整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展是與上世紀 60 年始的計算機與互聯(lián)網(wǎng)的產(chǎn)業(yè)相伴相生的。1946 年，臺計算機誕生于美國的賓夕法尼亞大學(xué)，而隨后 1958 年，美國德州儀器發(fā)明了世界上個集成電路。

??在半導(dǎo)體發(fā)展至今的 60 多年時間里，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了起源于美國(1960s);并在美國完成技術(shù)積累(1970s);PC 時代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)次轉(zhuǎn)移到日本(1980s);互聯(lián)網(wǎng)時代又一次轉(zhuǎn)移至韓國(1990s);通信技術(shù)大升級時代我國半導(dǎo)體代工產(chǎn)業(yè)興起(2000s);在 2010 年后，通信技術(shù)進入流量劇增的移動互聯(lián)網(wǎng)時代，我國的芯片產(chǎn)業(yè)開始逐步從向大陸轉(zhuǎn)移。

??當前我國大陸的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總體處于起步階段。從現(xiàn)狀來看，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀格局與我國省接近，均以中下游代工和封測為主，但我們認為未來發(fā)展路徑可能更加接近韓國。韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在技術(shù)方面經(jīng)過很短的時間趕上并超過了先進國家。其中，三星電子從 1983 年正式開始生產(chǎn)半導(dǎo)體起，到 1994 年率先成功開發(fā) 256M DRAM 止，用了 10 年左右的時間，便確立了其在國際半導(dǎo)體技術(shù)競爭中的地位。

??我們認為，當前我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來三大發(fā)展機遇：(1)2000 年科網(wǎng)泡沫破裂后，受制于材料的限制，近 10 年以來摩爾定律的作用一定程度上有所失效，但這恰恰給了我國技術(shù)追趕的時間窗口;(2)今年下半年以來日韓貿(mào)易摩擦有所加劇，日本半導(dǎo)體強于材料，韓國半導(dǎo)體強于存儲，借此機遇，我國或加快從日韓的技術(shù)引進;(3)新一輪 5G 技術(shù)有望開啟，而我國在 5G 領(lǐng)域在全球處于地位，下游終端設(shè)備對于半導(dǎo)體的潛在需求增長或進一步拉動國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的升級。

??全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的四次轉(zhuǎn)移

??半導(dǎo)體涵蓋類別非常，實際用途多樣化，因此，為了更好的理解半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，我們首先需要區(qū)分不同類型的半導(dǎo)體及其技術(shù)壁壘。

??半導(dǎo)體產(chǎn)品按技術(shù)重點的不同可以分為三類：(1)以制造工藝驅(qū)動的產(chǎn)品，主要包括存儲器、微器件，這類產(chǎn)品的發(fā)展主要依賴于先進的工藝技術(shù);(2)以電路設(shè)計驅(qū)動的產(chǎn)品，主要包括邏輯器件、半導(dǎo)體、通信和消費類產(chǎn)品，這類產(chǎn)品的發(fā)展更多依賴于設(shè)計;(3)以器件物理驅(qū)動的產(chǎn)品，主要包括類比器件、高頻率器件、分立式器件，器件物理方面的進步則是這些產(chǎn)品發(fā)展的關(guān)鍵。

??事實上，這三類半導(dǎo)體技術(shù)壁壘或有高低，其中設(shè)計驅(qū)動的產(chǎn)品壁壘，基于工藝的半導(dǎo)體次之，物理驅(qū)動的產(chǎn)品壁壘相對較低。

??起源：美國早實現(xiàn)半導(dǎo)體技術(shù)的原始積累

??美國貝爾實驗室完成半導(dǎo)體技術(shù)的原始積累。美國的半導(dǎo)體的發(fā)明早是由軍方推動的，第二次世界大戰(zhàn)后，為彌補真空電子管體積大、功率小的弊端，美國支持貝爾實驗室，成立了固態(tài)物理研究部門。

??貝爾實驗室是工業(yè)界少有的幾個研發(fā)(R&D)機構(gòu)，其母公司阿爾卡特朗訊每年銷售額的 11%～12%(約 40 億美元)作為貝爾實驗室的研發(fā)經(jīng)費。1947 年 12 月，貝爾實驗室發(fā)明了世界個接觸型鍺三極管;1948 年 1 月研發(fā)了雙極型晶體管;1951 年，西方電器公司開始生產(chǎn)商用鍺接點晶體管;1952 年 4 月，西方電器、雷神、美國無線電等公司，生產(chǎn)商用雙極型晶體管;1954 年 5 月，顆以硅做成的晶體管由德州儀器公司開發(fā)成功，與此同時，利用氣體擴散把雜質(zhì)摻入半導(dǎo)體的技術(shù)也由貝爾實驗室和通用電氣公司研發(fā)出來;1957 年底，美國不同部門已制造出六百多種不同形式的晶體管。1958 年，美國的德州儀器公司(TI)用 MESA 技術(shù)發(fā)明了款 IC，我們認為，這意味著基于半導(dǎo)體的技術(shù)由此開端。

??資金和人才是波士頓成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)源地。半導(dǎo)體研發(fā)需要大量資金和人才，波士頓擁有哈佛、麻省理工等的教育和人才資源，并擁有杜邦、美國電話電報公司等多家實力雄厚的大企業(yè)，二戰(zhàn)時期把大量訂單派發(fā)給波士頓半導(dǎo)體公司，提供了資金支持和市場保障。1958 年，為應(yīng)對蘇聯(lián)發(fā)射成功顆人造衛(wèi)星，美國設(shè)立了晶體管電路小型化專項基金，而軍方訂單和支持使波士頓的半導(dǎo)體公司的生產(chǎn)和研發(fā)能力提升，很快成長為行業(yè)巨頭。隨后這些企業(yè)不斷兼并上下游企業(yè)，形成垂直型等級管理模式，擁有從技術(shù)研發(fā)到生產(chǎn)制造，再到市場推廣一系列產(chǎn)業(yè)鏈。

??微處理器的發(fā)明被譽為是跨時代的創(chuàng)新，開啟了計算機和互聯(lián)網(wǎng)的技術(shù)。1968 年，戈登摩爾和羅伯特諾伊斯在硅谷創(chuàng)辦了英特爾公司，英特爾公司初的產(chǎn)品是半導(dǎo)體存儲器芯片。1969 年，英特爾推出自己的批產(chǎn)品——3101 存儲器芯片，隨后又推出 1101和 1103，存儲芯片價廉物美，供不應(yīng)求，它的誕生正式宣告了磁芯存儲器的。1971年，英特爾開發(fā)出個商用處理器 Intel 44004，微處理器所帶來的計算機和互聯(lián)網(wǎng)，改變了整個世界。

??英特爾通過不斷創(chuàng)新發(fā)展，終成為微處理器領(lǐng)域的。1965 年，英特爾的創(chuàng)始人之一摩爾提出了的摩爾定律(Moore's Law)：當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔 18-24 個月便會增加一倍，性能也將提升一倍，英特爾以摩爾定律為準繩，通過不斷創(chuàng)新追趕摩爾定律。1978 年，英特爾生產(chǎn)出了 16 位 8086 處理器，是所有 IBM PC 處理器的鼻祖。1981 年，IBM 為了短平快地推出 PC 產(chǎn)品，處理器直接采用英特爾的 8086，英特爾從此一舉成名。1982 年，英特爾研發(fā)出與 8086 完全兼容的第二代 PC 處理器 80286，用在 IBM PC/AT 上。

??1985 年，康柏制造出世界上臺 IBM PC兼容機，隨后 PC 兼容機企業(yè)像雨后竹筍一樣涌現(xiàn)出來，但是為了和 IBM PC 兼容，處理器都是使用英特爾公司的。1989 年，英特爾推出了從 80386 到奔騰處理器的過渡產(chǎn)品80486。憑借 80486，英特爾一舉超過所有日本半導(dǎo)體公司，成為了半導(dǎo)體行業(yè)的。直至，英特爾仍然是全球微處理器領(lǐng)域難以撼動的。

??發(fā)展：美國技術(shù)轉(zhuǎn)移，戰(zhàn)后日本半導(dǎo)體崛起

??戰(zhàn)后日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起首先依賴于國外技術(shù)轉(zhuǎn)移。在上世紀 80 年代前，美國對技術(shù)轉(zhuǎn)移不敏感，認為轉(zhuǎn)讓能讓美國在沒有時間和金錢的投資下獲得豐厚收入，而日本的半導(dǎo)體技術(shù)正是抓住了美國技術(shù)轉(zhuǎn)移的時代性機會窗口。

??二戰(zhàn)后美國本土半導(dǎo)體市場增長快速，利潤率遠超海外市場，一些美國公司也看到了海外市場的前景，但不愿意冒高成本和風險去開拓海外，由于日本的貿(mào)易保護政策，很多美國企業(yè)放棄了日本市場，另一些則是通過出售逐漸滲透日本市場。在利用轉(zhuǎn)化和提升引進技術(shù)過程中，日本通過政策支持、資金補貼和低息大力支持半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。

??美日貿(mào)易摩擦，日本開始自主研發(fā)存儲半導(dǎo)體。20 世紀 70 年代初，日本半導(dǎo)體行業(yè)與美國差距明顯，日本適時引入外資、鼓勵合營企業(yè)，半導(dǎo)體企業(yè)逐漸增長。隨后美國迫使日本開放其國內(nèi)計算機和半導(dǎo)體市場，促使日本下決心自主研發(fā)芯片，1976 年，日本以 5 大企業(yè)(富士通、日立、三菱、NEC、東芝)為，聯(lián)合日本工業(yè)技術(shù)研究院、電子綜合研究所和計算機綜合研究所共同實施“超大規(guī)模集成電力(VLSI)”計劃，隨后三年內(nèi)，VLSI 研究協(xié)會共申請 1210 項并開發(fā)出 64KRAM 隨機存儲器，為其DRAM 芯片的研制打下良好基礎(chǔ)。

??受益于 PC 興起，日本順勢躍居世界半導(dǎo)體強國。20 世紀 80 年代，英特爾公司成功研發(fā)“通用型 MPU”，將半導(dǎo)體產(chǎn)品市場從“型”推向“通用型”，為 PC 市場的發(fā)展提供了前提條件，隨后 PC 市場不斷擴大，DRAM 的需求也隨之大幅提升，預(yù)先布局存儲的日本順勢躋身集成電路強國之列，在半導(dǎo)體領(lǐng)域逐漸趕超美國，根據(jù)日本半導(dǎo)體協(xié)會數(shù)據(jù)，1986 年日本半導(dǎo)體行業(yè)在全球市占率上升至 65%，成為行業(yè)。1988 年，日本產(chǎn)商控制了全球半導(dǎo)體市場 51%的份額，1989 年，日本電氣、東芝和日立同時位居世界半導(dǎo)體產(chǎn)量名。

??擴散：美日貿(mào)易摩擦，韓國半導(dǎo)體趁勢崛起

??為穩(wěn)定供應(yīng)鏈，三星主動切入半導(dǎo)體領(lǐng)域。從上世紀 60 年始，韓國進入工業(yè)化時代，經(jīng)濟的高速增長及消費者收入水平的提高推動家電產(chǎn)品需求的上升，作為家電產(chǎn)品供應(yīng)商，三星對半導(dǎo)體的需求隨之增長，為了穩(wěn)定半導(dǎo)體的供應(yīng)，三星于 1974 年收購韓國半導(dǎo)體公司 50%的股份，初步進入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

??受限于落后的技術(shù)，當時半導(dǎo)體的部件需要從日本進口。1977 年三星收購韓國半導(dǎo)體公司剩余的 50%股權(quán)，同時還收購了在韓國半導(dǎo)體行業(yè)處于地位的外企仙童公司子公司，獲得其芯片加工技術(shù)，在半導(dǎo)體行業(yè)逐漸贏得一席之地。

??三星的技術(shù)引進戰(zhàn)略奠定了存儲半導(dǎo)體研發(fā)的基礎(chǔ)。80 年代初，為了適應(yīng)需求結(jié)構(gòu)的變化，拓展國際市場，三星轉(zhuǎn)向國外技術(shù)引進戰(zhàn)略。通過與外國企業(yè)的技術(shù)合作及在海外設(shè)立子公司，三星逐步掌握從裝配過程、工藝開發(fā)到晶片制造和檢驗的芯片制造技術(shù)。

??1982年，三星從美國 Micron Technology 公司獲得 64K DRAM 的技術(shù)許可，作為技術(shù)轉(zhuǎn)讓的一部分，三星派遣工程師赴該美接受培訓(xùn)，使得三星吸收許可技術(shù)的能力提高。1983年，三星電子在美國設(shè)立子公司，聘用當?shù)氐募夹g(shù)人員開發(fā) 64K DRAM，為公司的技術(shù)研發(fā)與前沿市場信息的獲取提供支持。

??競爭對手限制，三星從技術(shù)引進轉(zhuǎn)向自主研發(fā)。隨著三繼開發(fā)成功 64K、256K、1M DRAM 半導(dǎo)體產(chǎn)品，國外競爭對手開始采取措施限制其發(fā)展，三星很難再實施以前的外國技術(shù)導(dǎo)入戰(zhàn)略，競爭環(huán)境的變化，迫使三星從外國技術(shù)導(dǎo)入戰(zhàn)略轉(zhuǎn)向并行技術(shù)自研的新戰(zhàn)略。

??與此同時，韓國也逐步認識到半導(dǎo)體行業(yè)的重要性，并加大政策扶持力度，1986年，韓國推出《超大規(guī)模集成電路技術(shù)共同開發(fā)計劃》，在的支持下，三星與現(xiàn)代電子、LG 電子合作成立開發(fā)半導(dǎo)體技術(shù)的國家研究開發(fā)小組，通過外聘技術(shù)人員和引進海外技術(shù)人才，三星在半導(dǎo)體領(lǐng)域迅速趕超歐美，躋身行業(yè)前沿團隊。

??財團模式+逆周期投資，韓國半導(dǎo)體取代日本。進入 90 年代，世界半導(dǎo)體行業(yè)整體下行，DRAM 逐漸通用化，依靠財團優(yōu)勢，三星加大投資和研發(fā)，通過引入大量 DRAM 設(shè)備實現(xiàn)規(guī)模生產(chǎn)形成價格優(yōu)勢并迅速搶占市場。

??90 年代中后期，三星電子“雙向型數(shù)據(jù)通選方案”獲美國半導(dǎo)體標準化委員會認可，成行業(yè)新標準，對日本半導(dǎo)體行業(yè)造成二次沖擊，與之對應(yīng)的是日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研發(fā)投資額逐年下降，創(chuàng)新產(chǎn)品匱乏，日本半導(dǎo)體進入衰退期并逐步喪失地位。終，韓國取代了日本成為新的世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重心。

??再分工：勞動力成本上升，制造部門向轉(zhuǎn)移

??半導(dǎo)體以代工起步，占據(jù)制造環(huán)節(jié)的領(lǐng)導(dǎo)地位。在上世紀 70 年代，確定了以科技產(chǎn)業(yè)為的政策，扶持了眾多科技公司，威盛電子、聯(lián)電、富士康均在此期間成立，而的電子產(chǎn)業(yè)相對完備，涉及手機、電腦、LED、電子組裝等，整個產(chǎn)業(yè)鏈非常完善，相關(guān)公司眾多，給了半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展和崛起的良好土壤。為了支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，建立了世界上個由主導(dǎo)成立的科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)——新竹科技產(chǎn)業(yè)園。

??全球化分工更進一步，半導(dǎo)體代工模式興起。半導(dǎo)體企業(yè)起初專注于勞動密集型的封裝環(huán)節(jié)，到 90 年代末期，隨著全球貿(mào)易的進一步深化，我國憑借相對廉價的勞動力優(yōu)勢(部分來自于大陸)，以客戶為導(dǎo)向的晶圓代工模式興起，臺積電、聯(lián)電等本土IC 代工企業(yè)崛起，給了半導(dǎo)體企業(yè)高速發(fā)展的源動力。

??此后，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，聯(lián)發(fā)科和晨星做芯片、日月光專注于晶圓制造、精材科技做封裝，逐步將半導(dǎo)體范圍擴大到設(shè)計、制造、封裝、測試等全產(chǎn)業(yè)鏈。

??日韓半導(dǎo)體的發(fā)展啟示

??背景：80 年代 PC 普及，90 年代互聯(lián)網(wǎng)盛行

??1946 年世界上臺電子計算機問世，在此后的十多年時間內(nèi)，由于價格很昂貴，電腦數(shù)量極少，早期所謂的計算機網(wǎng)絡(luò)主要是為了解決這一矛盾而產(chǎn)生的，其形式是將一臺計算機經(jīng)過通信線路與若干臺終端直接連接，我們也可以把這種方式看做為簡單的局域網(wǎng)雛形。

??早的 Internet，是由美國部高級研究計劃局(ARPA)建立的?，F(xiàn)代計算機網(wǎng)絡(luò)的許多概念和方法，如分組交換技術(shù)都來自 ARPAnet。ARPAnet 不進行了租用線互聯(lián)的分組交換技術(shù)研究，而且做了無線、衛(wèi)星網(wǎng)的分組交換技術(shù)研究-其結(jié)果導(dǎo)致了TCP/IP問世。

??1977-1979 年，ARPAnet 推出了目前形式的 TCP/IP 體系結(jié)構(gòu)和協(xié)議。1980 年前后，ARPAnet 上的所有計算機開始了 TCP/IP 協(xié)議的轉(zhuǎn)換工作，并以 ARPAnet 為主干網(wǎng)建立了初期的 Internet。1983 年，ARPAnet 的全部計算機完成了向 TCP/IP 的轉(zhuǎn)換，并在 UNIX(BSD4.1)上實現(xiàn)了 TCP/IP。

??ARPAnet 在技術(shù)上的貢獻就是 TCP/IP 協(xié)議的開發(fā)和應(yīng)用。1985 年，美國國家科學(xué)基金組織 NSF 采用 TCP/IP 協(xié)議將分布在美國各地的 6 個為科研教育服務(wù)的超級計算機中心互聯(lián)，并支持地區(qū)網(wǎng)絡(luò)，形成 NSFnet。1986 年，NSFnet替代 ARPAnet 成為 Internet 的主干網(wǎng)。1988 年 Internet 開始對外開放。1991 年 6 月，在連通 Internet 的計算機中，商業(yè)用戶超過了學(xué)術(shù)界用戶，這是 Internet 發(fā)展史上的一個里程碑，從此 Internet 成長速度一發(fā)不可收。

??格局：半導(dǎo)體價值鏈逐漸形成

??經(jīng)過數(shù)十年的國際化分工與產(chǎn)業(yè)發(fā)展，至今半導(dǎo)體的全球價值鏈基本形成。集成電路行業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈有上游硅片制造商產(chǎn)業(yè)、中游芯片制造產(chǎn)業(yè)以及下業(yè)應(yīng)用產(chǎn)業(yè)構(gòu)成。其中中游產(chǎn)業(yè)鏈大體分為芯片設(shè)計(芯片包括模擬芯片、處理器芯片、邏輯芯片和存儲芯片 4 種)、芯片制造及芯片封裝測試 3 個子產(chǎn)業(yè)群。其中，芯片設(shè)計業(yè)務(wù)為高度技術(shù)密集的產(chǎn)業(yè)，芯片制造為資本密集產(chǎn)業(yè)，封裝測試行業(yè)相對于其他 2 個子產(chǎn)業(yè)群來說是勞動力較為密集的子產(chǎn)業(yè)。

??集成電路按工藝流程可將半導(dǎo)體設(shè)備劃分為晶圓制造、封裝、測試和其他前端設(shè)備四個大類。在業(yè)務(wù)模式方面，集成電路產(chǎn)業(yè)鏈目前有兩種發(fā)展模式，一種是傳統(tǒng)的集成制造(IDM)5 模式，企業(yè)為三星和英特爾;另一種是垂直分工模式(芯片設(shè)計 Fabless、芯片制造 Foundry 和芯片封測 Package&Testing)，其中芯片設(shè)計是集成電路產(chǎn)業(yè)的部分。

??上游材料：美日占據(jù)主導(dǎo)

??設(shè)備和材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上游，這兩個領(lǐng)域美國和日本占據(jù)優(yōu)勢。根據(jù) SEMI(國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會)的統(tǒng)計，2017 年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為 570 億美元，而全球半導(dǎo)體材料市場銷售額為 469 億美元，增長了 9.6%，也就是設(shè)備+材料=1039 億美元。根據(jù)Gartner 的數(shù)據(jù)，整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 2017 年總的銷售額為 4197 億美元，也就是設(shè)備+材料占了整個市場的 24.76%，接近于四分之一。

??半導(dǎo)體材料大致分為晶圓制造材料和封裝材料，其中晶圓制造所需的材料是，大體可以分成：硅片，靶材，CMP 拋光材料(主要是拋光墊和拋光液)，光刻膠，濕電子化學(xué)品(主要是高純試劑和光刻膠配套試劑)，電子特種氣體，光罩(光掩膜)，以及其他。

??2018 年硅材料領(lǐng)域日本和我國三巨頭占比 70%。半導(dǎo)體材料里面價值較高，占半導(dǎo)體材料市場比例的硅片，硅片至少占到了全球半導(dǎo)體材料市場的 30%以上，而且隨著2016 年開始的硅片大幅漲價，價值比例還在上升。

??從全球來看，硅材料具有高壟斷性，全球一半以上的半導(dǎo)體硅材料產(chǎn)能集中在日本，尤其是隨著尺寸越大、壟斷情況就越嚴重。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院 2018 年的報告，目前全球硅片市場中，日本信越、SUMCO 環(huán)球晶圓三家企業(yè)占據(jù)了硅片 70%的市場份額，且集中度呈現(xiàn)上升趨勢?？傮w來說，雖然上游設(shè)備和材料只占四分之一，但重要性不言而喻，而其他四分之三的價值是在設(shè)計，制造，封測等領(lǐng)域。

??上游設(shè)備：歐美占據(jù)主導(dǎo)

??世界半導(dǎo)體制造設(shè)備主要供應(yīng)廠商是 AMAT(美國應(yīng)材)、ASML(荷蘭艾司摩爾)、Lam Research(美國科林研發(fā))、LKA-Tencor(美國科磊)、Dainippon Screen(日本迪恩仕)，2017 年這五家公司的銷售額占世界總份額的 80%以上。英特爾、臺積電、三星電子、中芯國際等廠商的關(guān)鍵以及主要半導(dǎo)體設(shè)備均由這幾家美國及歐洲公司提供，其中 ASML 是全球的光刻機生產(chǎn)制造商，20 納米左右制程的芯片，均需要其光刻設(shè)備才能生產(chǎn)。

??IC 設(shè)計：美國優(yōu)勢明顯

??芯片設(shè)計(Fabless)環(huán)節(jié)的高研發(fā)投入形成了高技術(shù)壁壘。由于晶片加工工藝極其復(fù)雜，線寬越來越小，需要專門的激光裝置進行深度紫外線光蝕，設(shè)備和工具加工精度要求高、投資規(guī)模大，且制造工藝需要較長的學(xué)習(xí)曲線，研發(fā)成本日益提高，整體看，芯片制造環(huán)節(jié)具有較高的資本壁壘和技術(shù)壁壘。

??根據(jù) IC insights 發(fā)布的 2018 年 Top15 名的 IC 設(shè)計公司榜單，目前從全球產(chǎn)業(yè)鏈劃分情況來看，IC 設(shè)計和創(chuàng)新的主場地依然是美國。2018 年前 10 大 Fabless 中，有 6 家美國公司，3 家我國的公司，其中美國大幅其他國家和地區(qū)。國內(nèi) IC 設(shè)計相對較強的兩家公司分別為華為海思和紫光展銳，2018 年營收分別是 503 億和 110 億人民幣，對比博通、高通、英偉達等美國企業(yè)不規(guī)模差距較大，技術(shù)差距也比較明顯。

??在通用芯片設(shè)計方面，我國與發(fā)達國家差距較大，對外依存度很高。根據(jù)海關(guān)總署數(shù)據(jù)，2018 年我國集成電路進口金額超過 3000 億美，其中：處理器和存儲器兩類通用芯片合計占 70%以上。英特爾、三星等全球企業(yè)市場份額高，持續(xù)技術(shù)進步，對產(chǎn)業(yè)鏈有很強的控制能力，后發(fā)追趕企業(yè)很難獲得產(chǎn)業(yè)鏈的上下游配合。

??雖然紫光展銳、華為海思等在移動處理器方面已進入全球前列。但是，在個人電腦處理器方面，英特爾壟斷了全球市場，國內(nèi)相關(guān)企業(yè)有 3~5 家，但都沒有實現(xiàn)商業(yè)量產(chǎn)，大多依靠申請科研項目經(jīng)費和補貼維持運轉(zhuǎn)。龍芯近年來技術(shù)進步較快，在領(lǐng)域有所突破，但距離民用仍然任重道遠。國內(nèi)存儲項目剛剛起步，而對于 FPGA、AD/DA 等通用芯片，國內(nèi)基本上是空白。

??晶圓代工：臺積電是

??晶圓代工行業(yè)屬于勞動密集型產(chǎn)業(yè)，我們地區(qū)優(yōu)勢明顯。根據(jù)拓璞產(chǎn)業(yè)研究數(shù)據(jù)，2019年 Q2 季度全球 0 晶圓代工廠榜單，受整體市場下滑的影響，Q2 前 10 大廠商的營收幾乎都在下滑，當季總營收只有 153.6 億美元，同比下滑了 8%。

??具體排名方面，臺積電以 75.53 億美元的營收位居，市場份額達到了 49.2%;三星以 27.73 億美元的營收位列第二，同比也下滑了 9%，市場份額 18%;格芯排名第三，當季營收 13.36 億美元，同比下滑了 12%，市場份額 8.7%。

??而大陸廠商中芯國際和華虹半導(dǎo)體也同時入圍，但這兩家的份額加起來不到 10%。根據(jù)電子工程世界網(wǎng)數(shù)據(jù)，兩家公司目前量產(chǎn)的工藝主要為 28nm，兩家都有 14nm 工藝量產(chǎn)的計劃，其中：中芯國際計劃于 2019 下半年量產(chǎn)，華虹半導(dǎo)體機會于 2020 年量產(chǎn)，但制程工藝比臺積電等公司落后兩代以上。

??封測：我國，大陸后來居上

??封測領(lǐng)域與晶圓代工一樣，目前我國地區(qū)為。根據(jù)拓璞產(chǎn)業(yè)研究數(shù)據(jù)，2019年季受到貿(mào)易摩擦、手機銷量下滑及存儲器市場供過于求等因素影響，全球大封測營收出現(xiàn)較大下滑。2019Q1 榜單中有 6 家臺企入選，且排名的日月光是企業(yè)，市場份額達到 19.7%。

??我國大陸的長電科技、天水華天、通富微電三家排名也處在，其中：2015 年，長電科技斥資 47.8 億元(折合 7.8 億美元)收購了新加坡封測公司星科金朋，星科金朋在 2015 年封測企業(yè)中排名第四，實現(xiàn)了以小博大，擴大了市場份額，當前來看，半導(dǎo)體封測已成為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中具有相對優(yōu)勢的環(huán)節(jié)。

??我們認為，中國大陸 IC 封測企業(yè)未來有望將重心從通過海外并購取得封裝技術(shù)及市占率，轉(zhuǎn)而聚焦在開發(fā) Fan-Out及 SiP等先進封裝技術(shù)，并積極通過客戶認證來向市場顯示自身技術(shù)，提高市場競爭力。

??政策：舉國之力支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

??日本：電子工業(yè)振興戰(zhàn)略

??在日本，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策的重心是半導(dǎo)體在工業(yè)和消費領(lǐng)域中的應(yīng)用。在日本半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展中，為扭轉(zhuǎn)初其技術(shù)依附于歐美的弱勢地位，日本的 MITI 發(fā)揮了強大的引導(dǎo)作用，為日本半導(dǎo)體企業(yè)的有序競爭構(gòu)建了有效框架。其政策措施演變過程大體上經(jīng)歷了以下三個階段：

??(1)1957 年制定《電子工業(yè)振興臨時措施法》，其頒布實施有效地促進了日本企業(yè)在學(xué)習(xí)美國先進技術(shù)的基礎(chǔ)上，積極發(fā)展本國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

??(2)1971 年制定《特定電子工業(yè)及特定機械工業(yè)振興臨時措施法》，該法進一步秉承了電振法的宗旨，強化了發(fā)展以半導(dǎo)體為的電子產(chǎn)業(yè)的力度。該法的實施成功地幫助日本企業(yè)通過加強自身研發(fā)、生產(chǎn)能力，有效地抵御了歐美半導(dǎo)體廠商的沖擊，進而使日本半導(dǎo)體制品不斷走向世界。

??(3)1978 年制定《特定機械情報產(chǎn)業(yè)振興臨時措施法》(于 1985 年失效)，該法進一步加強了以半導(dǎo)體為的信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

??上述三部專業(yè)法規(guī)加強了日本企業(yè)的競爭力。此后日本沒有頒布針對以半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的電子、信息產(chǎn)業(yè)的專門法規(guī)，而是改為通過綜合性法規(guī)在整體上推動包含半導(dǎo)體在內(nèi)的高新技術(shù)的發(fā)展，其中較為重要的是于 1995 年出臺的《科學(xué)技術(shù)基本法》，MITI 還通過限制外商在日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資和要求通過直接購買方式來獲取技術(shù)從而避免了日本在技術(shù)上受到他國的控制和支配。

??除此之外，日本外貿(mào)組織 JETO 通過其在全球 55 個以上國家所設(shè)有的分支機構(gòu)為日本半導(dǎo)體生產(chǎn)商提供有關(guān)行業(yè)的資訊，有力的促進了科技信息的溝通與傳播。同時在融資上，日本主要利用國家開發(fā)銀行為半導(dǎo)體企業(yè)提供低利，使企業(yè)借貸利率接近于零，這與美國同時期市場利率 4-5%相比較，可謂是具有明顯優(yōu)勢。

??韓國：“政策經(jīng)濟”支持逆周期擴張

??相比日本，韓國對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的參與力度更大。韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高度集中于存儲領(lǐng)域，由于經(jīng)營存儲的財團背后有著力量的強力支撐。韓國通過多種渠道去培養(yǎng)和促使韓國大企業(yè)進入半導(dǎo)體領(lǐng)域。

??1976 年成立了韓國電子技術(shù)學(xué)院(KIET)，其主要職責是“計劃與協(xié)調(diào)半導(dǎo)體 Ramp：D、進口、吸收和傳播國外技術(shù)，為韓國企業(yè)提供技術(shù)支持，進行市場調(diào)研”。1982 年，“長期半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)促進計劃”宣告啟動，韓國為四大主要半導(dǎo)體企業(yè)提供了大量的財政、稅收優(yōu)惠。1986 年，韓國制訂了半導(dǎo)體信息技術(shù)開發(fā)方向的投資計劃，每年向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資近億美元。

??根據(jù)《韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)跨越研究》(陳德智, 陳香堂 2006 年第 2 期)描述，“政策經(jīng)濟”使得韓國半導(dǎo)體逆勢發(fā)展，在歐美地區(qū)紛紛衰退的情況下，韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 2002 年產(chǎn)值反而從 95.8 億美元增至112 億美元，同比增長了 17%。眾所周知，雖然當時市場在供給過剩的壓力下利潤率很低，但三星、南亞科技等韓國企業(yè)憑借其規(guī)模效益，仍成為全球少數(shù)獲利的存儲廠商。

???。阂源榛A(chǔ)擴展產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)

??我國主要依靠三方面的政策支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展：

??(1)技術(shù)引進與招商引資。早的技術(shù)引進為 1977 年與美國 RCA 公司合作的 7 微米 CMOS 技術(shù)轉(zhuǎn)讓，并建立家半導(dǎo)體示范工廠，完成技術(shù)消化到實際生產(chǎn)能力。之后，通過民間技術(shù)轉(zhuǎn)讓來吸引民間資本投資再帶動海外資本入島，活化島內(nèi)產(chǎn)業(yè)資金來源、發(fā)揮引導(dǎo)聚集作用。

??(2)整體規(guī)劃與政策支持。針對當時技術(shù)與資金情況，早提出集成電路計劃草案，之后主導(dǎo)代工的發(fā)展方向，并在后期逐漸擴展產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)，提出例如兩兆雙星的發(fā)展目標。在發(fā)展過程中，輔以人才優(yōu)惠，高科技企業(yè)稅收減免等大力度傾斜性扶持政策。根據(jù)1994 年新竹科技園區(qū)制定的《科學(xué)園區(qū)未來十年發(fā)展遠景規(guī)劃方案》，1994-2004 年，每年對創(chuàng)新技術(shù)的資助金額占總規(guī)劃的 20%以上。

??(3)建立工研院，實行技術(shù)指引與組織交流職責。1974 年效仿美國硅谷產(chǎn)學(xué)研模式建立電子工業(yè)研究中心，即工研院的前身。工研院主要職能為領(lǐng)頭規(guī)劃，加速人才與技術(shù)流通。此外，工研院還擔任技術(shù)研發(fā)工作，例如 1975-1979 期專案計劃的 CMOS技術(shù)、1983-1987 超大集成電路計劃的 1-1.5 微米制造與封測技術(shù)等。通過自身技術(shù)研發(fā)或引進，實現(xiàn)生產(chǎn)能力后再轉(zhuǎn)讓給民間其它企業(yè)，提高整體半導(dǎo)體技術(shù)。更為重要的是，工研院還扮演孵化器角色，家設(shè)計與制造公司聯(lián)華電子(1979 年)、全球晶圓代工廠臺積電(1987 年)、家 8 英寸生產(chǎn)線世界先進半導(dǎo)體公司(1994 年)等均由工研院分衍出來。

??新竹產(chǎn)業(yè)園區(qū)的建設(shè)，吸引資金和人才。為了加強工研院影響力、調(diào)整島內(nèi)經(jīng)濟結(jié)構(gòu)，我國 1976 年籌建以半導(dǎo)體為的新竹科技園區(qū)，并于 1980 年完成。在吸引資金方面，新竹園區(qū)從產(chǎn)業(yè)多方面吸引高科技企業(yè)來園區(qū)發(fā)展：管理方面，通過《科學(xué)工業(yè)園區(qū)設(shè)置管理條例》等進行專項規(guī)劃管理;稅收方面，園區(qū)規(guī)定新辦企業(yè)在九年內(nèi)可任選連續(xù)五年免征所得稅，五年后每年營業(yè)稅不超過 20%;風投方面，開設(shè)開發(fā)基金，從 1985到 1990 年共劃撥 24 億新臺幣設(shè)立種子基金，也鼓勵例如宏大風險基金的民間投資。

??在吸引人才方面，海外人才吸引和高校合作提供了豐富的人才儲備。海外人才方面，當局 1985 年在硅谷設(shè)立辦公室，監(jiān)測學(xué)習(xí)先進技術(shù)的同時召集華裔工程師，臺積電創(chuàng)始人張忠謀正是以此被請回的。

??根據(jù)半導(dǎo)體協(xié)會網(wǎng)站資料，1983-1997 年，華裔優(yōu) 秀人才以平均 42%的增速回到，得益于此，這段時間的制程技術(shù)不斷提升。高校方面，與清華大學(xué)、交通大學(xué)、電子技術(shù)研究院、中華工學(xué)院等眾多大學(xué)和研究機構(gòu)合作，為新竹園區(qū)培養(yǎng)了一大批儲備人才。2018年新竹園區(qū)共 487 家企業(yè)，半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)占 64.27%，銷售額占比高達 90%以上，集成電路一項就支撐起半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額的 31.25%，其重要程度不言而喻。

??總結(jié)：韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的成功經(jīng)驗

??90 年代以來，韓國抓住美日貿(mào)易摩擦的契機，半導(dǎo)體趁勢崛起，直至韓國依然是全球半導(dǎo)體(尤其是存儲)的之一，而日本的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在 90 年代后逐漸衰落，地位被韓國所取代，而我國的半導(dǎo)體代工和封測環(huán)節(jié)發(fā)展較好，但事實上屬于附加值較低的中低端環(huán)節(jié)。因此，從日、韓和我國省的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展經(jīng)驗來看，無疑韓國經(jīng)驗是成功的典范。

??財團模式使得韓國半導(dǎo)體能在逆周期中擴張。韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與日本有很大的相似性：(1)兩國都起源于外商投資，是美國半導(dǎo)體企業(yè)廉價的裝配工廠;(2)兩國初都依賴海外技術(shù)轉(zhuǎn)移;(3)在技術(shù)趕超中韓國發(fā)揮了重要作用。但與日本不同的是，在半導(dǎo)體領(lǐng)域韓國的作用主要體現(xiàn)在扶持現(xiàn)代財團上。

??90 年代前后，韓國制定了超大規(guī)模集成電路技術(shù)共同開發(fā)計劃，以國家電子研究所為主，三星、現(xiàn)代、LG 等大企業(yè)參加，組成了半導(dǎo)體研究開發(fā)組，韓國是分配資金，真正起了關(guān)鍵作用的是三星等企業(yè)財團。和日本財團類似，韓國財團內(nèi)部的資金和人才流動迅速，財團可以把精力集中在對新興領(lǐng)域的有效投資上，財團式的管理又使抗風險性更強。

??以三星為的韓國企業(yè)以購買、設(shè)備、并購起家(如：三星的 64K 和 256K DRAM 技術(shù)是從美國引進的;微米技術(shù)，16K SRAM 技術(shù)和 256K ROM 技術(shù)是從日本夏普公司引進的)。大量戰(zhàn)略性地從國外引進先進的制造設(shè)備和原料，讓三星能更加集中精力，提升產(chǎn)量和制造工藝，由于是批客戶，三星獲得了設(shè)備廠家周到的服務(wù)和技術(shù)支持。因此，三星很快掌握了的制造技術(shù)，很快提高了產(chǎn)量。

??首先致力于次先進的技術(shù)，避免與美國的針鋒相對。日本半導(dǎo)體衰落的一個重要原因是美日貿(mào)易摩擦對日本帶來的一系列深遠的影響(包括 90 年代日本房地產(chǎn)泡沫的破裂)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也由此走向衰落。三星的成功很大程度上是戰(zhàn)略決策和財團優(yōu)勢結(jié)合的結(jié)果，不是一味追求精尖技術(shù)，而是首先集中于次先進技術(shù)(動態(tài)存儲器 DRAM)，避免與美國針鋒相對。依靠財團優(yōu)勢，實現(xiàn)低成本量產(chǎn)，贏得市場。

??當半導(dǎo)體市場在 80 代末期遭遇周期性波動和衰退時，依靠財團優(yōu)勢，三星仍然加大投資和研發(fā)，擴大生產(chǎn)，逆勢而上，吞并對手。當半導(dǎo)體領(lǐng)域再次繁盛時，三星已成為全球的 DRAM 制造商。

??我國與韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)比較分析

??當前我國大陸的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總體處于起步階段。從現(xiàn)狀來看，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展格局接近于我國省，均以中下游代工和封測為主，而中上游產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)占比較小，對外依存度高。但我們認為未來發(fā)展路徑可能更加接近韓國，韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在技術(shù)方面經(jīng)過很短的時間趕上并超過了先進國家。

??其中，三星電子從 1983 年正式開始生產(chǎn)半導(dǎo)體起，到 1994 年率先成功開發(fā) 256M DRAM 止，用了 10 年左右的時間，便確立了其在國際半導(dǎo)體技術(shù)競爭中的地位。

??背景相似：互聯(lián)網(wǎng) VS 物聯(lián)網(wǎng)，技術(shù)的開始

??90 年代初技術(shù)周期的大背景是互聯(lián)網(wǎng)開始興起。90 年代初，互聯(lián)網(wǎng)尚處于早期，一方面互聯(lián)網(wǎng)的商用范圍較窄，另一方面是缺少成熟的瀏覽器。1993 年 11 月，Mosaic 瀏覽器在1993年11月由官方發(fā)布，從此以后人們有了便捷的上網(wǎng)途徑，馬賽克后來更名為網(wǎng)景，并在 1994 年后期發(fā)布了自己的瀏覽器——導(dǎo)航者(Navigator)。

??根據(jù)硅谷創(chuàng)投教父彼得·蒂爾的經(jīng)典之作《從 0 到 1》中的描述，導(dǎo)航者瀏覽器迅速被接受，1995 年開始，只用了不到一年時間，從占瀏覽器市場 20% 到占 80%。

??互聯(lián)網(wǎng)從興起-繁榮-泡沫的過程也快速展開。互聯(lián)網(wǎng)的逐漸普及拓展了人們的想象力，1995 年 8 月，網(wǎng)景尚未盈利就公開募股，在 5 個月內(nèi)，網(wǎng)景從每股 28 美元猛升至每股 174 美元，而其他科技公司也是一片繁榮。1996 年 4 月，雅虎公司上市，估值為 8.48 億美元，1997 年 5 月亞馬遜上市，上市時估值為 4.38 億美元，到 1998 年一季度，每家公司的股價都漲了至少3倍，互聯(lián)網(wǎng)公司的平均股價漲幅為其他傳統(tǒng)公司的數(shù)倍，互聯(lián)網(wǎng)泡沫一發(fā)不可收。

??當前正處于 5G 時代物聯(lián)網(wǎng)時啟的前期。我國已在今年 6 月 6 日發(fā)布 5G 商用牌照， 而中國華為將在 7 月 26 日發(fā)布 5G 手機 Mate 20X 5G。5G 帶來的變化的是從用戶到硬件再到流量的的性變化，韓國在今年 4 月 3 日開始推出 5G 商用服務(wù)(在部分地區(qū))，比中國早兩個月，參考韓國：從用戶數(shù)來看，據(jù)韓聯(lián)社 6 月 12 日報道，推出了 5G 服務(wù)短端兩個月韓國的 5G 用戶數(shù)量就突破了 100 萬，這意味著每天平均新增 1.7萬 5G 用戶，普及速度超過了當年的 4G。

??據(jù)韓聯(lián)社預(yù)計，到今年年底，韓國 5G 用戶總數(shù)有望達到 400 萬至 500 萬;從硬件更新來看：韓國消費電子巨頭三星電子在 3 月推出 5G手機 Galaxy S10 5G，據(jù)韓聯(lián)社統(tǒng)計，該款手機在韓國本土的銷量已經(jīng)突破了 100 萬臺，從發(fā)售到破百萬用了 80 天時間;從流量來看：Ookla 在今年 7 月發(fā)布的一項關(guān)于全球移動互聯(lián)網(wǎng)網(wǎng)速的調(diào)查顯示，截至 5 月份，韓國的移動互聯(lián)網(wǎng)下載速度在 140 個國家中排名，達到 76.74mbps，與去年同期相比，韓國的移動互聯(lián)網(wǎng)速度提高了 79.7%。

??政策相似：舉國之力發(fā)展半導(dǎo)體

??國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)扶持政策文件梳理

??自 2000 年以來，我國和相關(guān)部委陸續(xù)出臺了一系列促進集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的相關(guān)政策。特別自 2014 年，國家出臺《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》，明確規(guī)劃了未來國家繼承電路發(fā)展的階段和目標，在此之后，各地方也響應(yīng)國家政策，出臺一系列地方性集成電路產(chǎn)業(yè)促進政策，集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛。

??在發(fā)布《推進綱要》之后，北京、上海、天津、安徽、甘肅、山東、湖北、四川等各地陸續(xù)出臺了產(chǎn)業(yè)的發(fā)展政策，同時這些省市也相繼成立了金額不等的集成電路產(chǎn)業(yè)基金。在一定程度上地方對 IC 產(chǎn)業(yè)的積極態(tài)度也會影響中國 IC 產(chǎn)業(yè)的區(qū)域布局。例如，武漢重點支持集成電路制造領(lǐng)域，包括存儲器，也兼顧設(shè)計、封測等環(huán)節(jié)，設(shè)立了 300 億元的集成電路產(chǎn)業(yè)基金。合肥突出在終端行業(yè)的應(yīng)用并積極在存儲器方向布局。

??廈門對接國家戰(zhàn)略、立足于對臺優(yōu)勢，大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，以“福、廈、漳、泉”為基點，相繼集聚了諸多的重要企業(yè)。南京出臺了《加快推進集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展意見》，配套了相關(guān)政策?；窗苍趫D像傳感器、相變存儲器方面也積極布局，并出臺了一系列政策和資金配套。陜西“十三五”目標規(guī)劃，到 2020 年重點通過推動更小尺寸集成電路生產(chǎn)線建設(shè)、加快第三代半導(dǎo)體等前沿技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，推動集成電路封測的升級擴產(chǎn)，加強關(guān)鍵設(shè)備和材料配套能力。

??財政補貼或稅收減免

??除了國家出臺的發(fā)展綱要外，財政補貼或稅收減免則對于集成電路企業(yè)的發(fā)展起著直接的促進作用。

??成立產(chǎn)業(yè)基金

??2014 年 6 月，頒發(fā)了《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》，《綱要》提出了行業(yè)發(fā)展的主要任務(wù)和發(fā)展重點：著力發(fā)展集成電路設(shè)計業(yè)，加速發(fā)展集成電路制造業(yè)，提升先進封裝測試業(yè)發(fā)展水平，突破集成電路關(guān)鍵裝備和材料，即突出“芯片設(shè)計—芯片制造—封裝測試—裝備與材料”全產(chǎn)業(yè)鏈布局，在此基礎(chǔ)上協(xié)同發(fā)展，進而構(gòu)建“芯片—軟件—整機—系統(tǒng)—信息服務(wù)”生態(tài)鏈。同時綱要還提出設(shè)立國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金——“大基金”，作為一項保障措施。2014 年 9 月，國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金(簡稱“大基金”)正式成立。

??“國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金”是由財政、國開金融、中國、亦莊國投、中國移動、上海國盛、中國電子、中國電科、紫光通信、華芯投資等共同發(fā)起，此后又有武漢經(jīng)發(fā)投、中國電信、中國聯(lián)通、中國電子、大唐電信、武岳峰資本、賽伯樂投資等 7 家機構(gòu)參與增資擴股，一期資金總規(guī)模達到 1387.2 億元，相比于計劃安排規(guī)模 1200 億元，超募 15.6%。除大基金之外，多個省市也相繼成立集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，目前包括北京、上海、廣東等在內(nèi)的十幾個省市已成立專門扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的地方性基金。

??根據(jù)國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金的統(tǒng)計，截至 2017 年底，大基金累計有效決策投資 67 個項目，累計項目承諾投資額達 1188 億元，實際出資 818 億元，分別占一期募資總額的 86%和 61%，投資項目覆蓋了集成電路設(shè)計、制造、封裝測試、裝備、材料、生態(tài)建設(shè)等各個環(huán)節(jié)，實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)鏈上的完整布局。

??大基金一期的投資中，制造的投資額占比為 65%、設(shè)計占 17%、封測占 10%、裝備材料占 8%。大基金目前的投資已經(jīng)完全覆蓋了集成電路制造、封裝的公司，部分覆蓋了設(shè)計、設(shè)備、材料類上市公司，并涉足第三代半導(dǎo)體、傳感器等領(lǐng)域。

??地方集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金建設(shè)情況

??在市場拉動和政策支持下，自 2015 年以來，全國各地也掀起了一股成立集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金的熱潮。根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)觀察網(wǎng)統(tǒng)計，截至到 2018 年 8 月，全國有 15 個以上省市成立了規(guī)模不等的地方集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，總計規(guī)模達到了 5000 億元左右。

??截止 2018 年 6 月，由“大基金”撬動的地方集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(包括籌建中)達 5145億元，撬動的地方產(chǎn)業(yè)投資基金比例在 1:3 到 1:4 之間。大基金實際出資部分直接帶動社會融資 3500 多億元，實現(xiàn)了近 1∶5 的放大效應(yīng)。

??大基金初的發(fā)起人有：國開金融有限責任公司、中國總公司、北京亦莊國際投資發(fā)展有限公司、中國移動通信集團公司、上海國盛(集團)有限公司、中國電子科技集團公司、北京紫光通信科技集團有限公司、華芯投資管理有限責任公司 ，此后在 2014 年 12月， 武漢經(jīng)濟發(fā)展投資有限公司(現(xiàn)已更名為“武漢金融控 股(集團)有限公司”)、中國電信、中國聯(lián)通、中國電子、大唐電信、武岳峰資本、賽伯樂投資集團等 7 家機構(gòu)參與增資擴股。參與方強強聯(lián)手，終大基金一期 共募得普通股 987.2 億元，同時發(fā)行優(yōu)先股400億元，基金總規(guī)模達到1,387.2億 元，相比于原先計劃的1,200億元超募了15.6%。

??目前大基金二期已經(jīng)啟動，募集金額有望超過一期(一期規(guī)模為 1387 億元)。大基金將提高對設(shè)計業(yè)的投資比例，并將圍繞國家戰(zhàn)略和新興行業(yè)進行投資規(guī)劃。二期將提高對設(shè)計業(yè)的投資比例，并將圍繞國家戰(zhàn)略和新興行業(yè)進行投資規(guī)劃，比如智能汽車、智能電網(wǎng)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、5G 等，并盡量對裝備材料業(yè)給予支持，推動其加快發(fā)展。

??今年 7 月 26 日，根據(jù)證券報《國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(二期)的募資工作已經(jīng)完成》報道，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(二期)的募資工作已經(jīng)完成，規(guī)模在 2000 億元左右，部分公司正在跟國家大基金接洽，商討二期投資方式。我們認為，若假設(shè)二期基金規(guī)模在2000 億元左右，按照 1：3 的撬動比，所撬動的社會資金規(guī)模在 6000 億元左右，加上大基金期 1387 億元及所撬動的 5145 億元社會資金，資金總額將過 1.1 萬億元。

??差異：全球化 VS 逆全球化產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略的選擇

??20 世紀 60 年代以來，全球化趨勢加速推進了國際化分工，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)生轉(zhuǎn)移。在二戰(zhàn)以后，隨著以美元為中心的國際貨幣體系——布雷頓森林體系的建立，全球化貿(mào)易快速發(fā)展從而帶來進一步的國際分工，對于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也是類似，各個國家和地區(qū)憑借其自身的稟賦條件，試圖在大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)鏈中謀求一席之地。

??美國作為半導(dǎo)體創(chuàng)新的發(fā)源地，一開始就牢牢把握住價值鏈的環(huán)節(jié)，以英特爾為，在成立之初主要產(chǎn)品為存儲半導(dǎo)體，而在 1971 研發(fā)成功代商用處理器后，轉(zhuǎn)而專攻處理器領(lǐng)域，隨后存儲產(chǎn)業(yè)開始逐步向外轉(zhuǎn)移，70-80 年代，日本的存儲半導(dǎo)體快速發(fā)展，在 80 年代，日本存儲半導(dǎo)體份額一度在全球占據(jù)領(lǐng)導(dǎo)地位。

??80 年代中后期，韓國把握住了此前美日貿(mào)易摩擦的契機，依靠財團資金優(yōu)勢，采用“逆周期投資”策略，在行業(yè)低迷的時候搶占了日本的份額。而我國則是憑借相對低廉的勞動力成本優(yōu)勢，以附加值較低的代工產(chǎn)業(yè)為基礎(chǔ)，逐步向產(chǎn)業(yè)鏈其他環(huán)節(jié)延伸。

??美日貿(mào)易摩擦背景下韓國半導(dǎo)體發(fā)展啟示

??20 世紀 80 年代后期，日本半導(dǎo)體制造商在全球占比領(lǐng)導(dǎo)地位，1988 年占據(jù)全球制造商Top10 半壁的 NEC、東芝、日立、富士通、三菱等公司，但終在 20 世紀 90 年代的沒落，其原因有：日本泡沫經(jīng)濟的破裂、日本終端電子產(chǎn)品競爭力下降、日本半導(dǎo)體企業(yè)間的內(nèi)耗(高峰時達 30 多家半導(dǎo)體企業(yè))、電腦網(wǎng)絡(luò)帶來的半導(dǎo)體行業(yè)洗牌等。其中，從 80 年代初期開戰(zhàn)并持續(xù)十三年的“美日半導(dǎo)體貿(mào)易戰(zhàn)”是重要原因。

??1983 年，美國半導(dǎo)體協(xié)會發(fā)表文章，批判日本半導(dǎo)體企業(yè)嚴重損害美國企業(yè)利益，而且矛頭直指日本實施的產(chǎn)業(yè)導(dǎo)向政策，同年，爆發(fā)“美日半導(dǎo)體摩擦”。

??1983 年，美日兩國間組建有關(guān)半導(dǎo)體貿(mào)易的協(xié)商工作組，開始對話。1984 年洛杉磯奧運會拉動了電視機/錄像機的巨大消費，再加上 PC 電腦開始普及，半導(dǎo)體需求快速增長，再次讓日本半導(dǎo)體企業(yè)騰飛。1985 年受到奧運會特需的反彈，市場急速降溫，這讓本就處于被動的美國半導(dǎo)體企業(yè)日子更艱難。

??1985 年，微軟針對日本 7 家半導(dǎo)體廠家的 DRAM 開始反傾銷訴訟，AMD 與 NS 公司(美國國家半導(dǎo)體，后被 TI 收購)也跟進，時任總統(tǒng)的里根也親自給商業(yè)部下達命令，調(diào)查日本的傾銷問題。

??1986 年 9 月，日本通產(chǎn)省(商務(wù)部)被迫與美國商業(yè)部簽定了“日美次半導(dǎo)體協(xié)議”，主要內(nèi)容是，限制日本半導(dǎo)體對美出口、擴大美國半導(dǎo)體在日本市場份額。

??然而，美國于 1987 年進一步發(fā)表針對日本在第三國傾銷的報復(fù)措施，里根總統(tǒng)以日本未能遵守協(xié)議為由發(fā)表對日本產(chǎn)電腦/電視等征收 100%的報復(fù)性關(guān)稅。除此之外，美國阻止富士通對 Fairchild 公司的收購，反制措施接連不斷。

??韓國抓住機遇趁勢崛起。1987 年美國誕生 IC 設(shè)計企業(yè)，以臺積電為的代工廠也陸續(xù)創(chuàng)立，而 80 年始，在美日半導(dǎo)體貿(mào)易戰(zhàn)的背景下，韓國一方面加速從美國、日本的技術(shù)引進技術(shù);另一方面在政策的支持下，以三星電子為的企業(yè)通過逆周期投資，快速搶占日本的存儲半導(dǎo)體份額，從而迅速崛起。

??當前逆全球化趨勢下我國大陸發(fā)展半導(dǎo)體的契機

??中美貿(mào)易摩擦堅定了我國自主發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的決心。2018 年以來，逆全球化有所升級，美國主動發(fā)動對我國的貿(mào)易摩擦，以中興通訊事件為，暴露了我國在關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域的短板。美國限制對國內(nèi)科技的零部件出口，直接導(dǎo)致國內(nèi)科技企業(yè)受到較大沖擊，中興通訊一度生產(chǎn)陷入停擺。

??今年 5 月份，美國再度把我國的華為放入“實體清單”，引起很瀾，今年 6 月 17 日，華為創(chuàng)始人任正非在接受《福布斯》雜志訪談時表示，預(yù)計未來兩年華為會減產(chǎn)，銷售收入下降 300 億美金。美國的限制對于擁有較強自主研發(fā)能力的華為來說影響也比較大。

??我們認為，未來中美貿(mào)易摩擦在較長時間內(nèi)都將呈現(xiàn)反復(fù)拉鋸的趨勢，而國內(nèi)自上而下，從各部門到企業(yè)，都已經(jīng)的明確了發(fā)展技術(shù)的方向，其中半導(dǎo)體是重中之重。

??日韓貿(mào)易摩擦或給國內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來發(fā)展契機。根據(jù)環(huán)球網(wǎng)報道，今年 7 月 1 日，矛盾重重的日韓關(guān)系再度緊張。日本正式宣布將韓國排除在貿(mào)易白色清單之外，所謂“白色清單”，是日本制定的安全保障貿(mào)易友好對象國清單，日本出口商可以通過簡化手續(xù)向清單內(nèi)所列國家出口高科技產(chǎn)品。

??與此同時，根據(jù)日本《產(chǎn)經(jīng)新聞》報道，日本宣布從 7 月 4 日起，加強對三種材料向韓國出口的管制，而這直接影響到韓國企業(yè)能否繼續(xù)正常生產(chǎn)制造半導(dǎo)體芯片。

??日韓貿(mào)易摩擦發(fā)酵或?qū)n國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生較大沖擊。根據(jù)前文分析，雖然在 80 年代中后期，由于美日貿(mào)易摩擦導(dǎo)致日本在存儲半導(dǎo)體的領(lǐng)導(dǎo)地位被韓國搶占，但日本在半導(dǎo)體的上游依然處于強勢地位，尤其是半導(dǎo)體材料硅片，2017 年日本信越化學(xué)份額 28%，日本 SUMCO 份額 25%，兩家日本公司占據(jù)全球超過 50%的份額。

??換句話來說，日本的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)處于韓國的上游，一旦日韓貿(mào)易摩擦繼續(xù)發(fā)酵，或者韓國的半導(dǎo)體企業(yè)產(chǎn)業(yè)較大沖擊。在這樣的背景下，韓國的二三線半導(dǎo)體企業(yè)經(jīng)營或面臨困境，我們認為這是對國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展的機遇，國產(chǎn)半導(dǎo)體企業(yè)可以通過購買或者海外并購，引進韓國較為先進的半導(dǎo)體技術(shù)。

??半導(dǎo)體不同發(fā)展階段表現(xiàn)

??半導(dǎo)體是典型的技術(shù)密集型、資本密集型的產(chǎn)業(yè)，前期研發(fā)投入大，當研發(fā)完成，又需要投入大量資金購買設(shè)備、產(chǎn)線，但到收獲期，由于技術(shù)壁壘高，而定價高、邊際生產(chǎn)成本低，因而利潤放量較快。

??當前全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分工的格局已經(jīng)大致形成，上游設(shè)計環(huán)節(jié)美國主導(dǎo);材料環(huán)節(jié)日本;生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)韓國后來居上;代工封測環(huán)節(jié)，我國和大陸具有相對優(yōu)勢。接下來我們重點探討處于產(chǎn)業(yè)鏈不同環(huán)節(jié)的半導(dǎo)體企業(yè)在不同階段的財務(wù)以及股價驅(qū)動力。

??處理器，每 8-10 年的重大技術(shù)升級周期

??處理器每 8-10 年一次技術(shù)重大升級，帶來新一輪增長周期。美國的英特爾公司是當前全球處理器領(lǐng)域的設(shè)計企業(yè)，也是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)壁壘的環(huán)節(jié)之一。

??我們認為，處理器是計算機、服務(wù)器的部件，著計算機的運算能力，而整個計算機和互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的周期就是以運算為基礎(chǔ)，從而實現(xiàn)技術(shù)的跨越。英特爾公司早在 1971 年研發(fā)出款商用的處理器，自此以后，英特爾走上了不斷追趕摩爾定律的過程，大概每 8-10年一個周期，推出一款重量級的升級處理器。

??1985 年，英特爾推出了 32 位的微處理器 386，新品推出后在 1986 年便實現(xiàn) 29 億美元的銷售收入，股價開始大漲。到 1993 年，英特爾正式發(fā)布重量級的奔騰處理器，再次給英特爾帶來快速的利潤增長，股價也因此大幅上漲。2001 年英特爾發(fā)布奔騰 4 處理器，標志著新一輪的技術(shù)革新，但受到當時“科網(wǎng)泡沫”破裂的影響，股價只是短暫反彈。2011 年，英特爾六核處理器 Core i7，性能又一次大幅提升，英特爾市場份額大幅增加。

??從財務(wù)視角來看，同樣呈現(xiàn)一定的周期性波動的特征。當英特爾發(fā)布重磅新品時，營收和凈利的規(guī)模迎來一輪長達 8-10 年的穩(wěn)定增長期，與此同時利潤率大幅回升。而當利潤率達到階段性頂部，且資本性開支的處于相對低點時，次年就會有重磅升級產(chǎn)品推出，從這個指標來看，同樣是大約每 8-10 年迎來一次技術(shù)革新。

??當前技術(shù)周期有望迎來拐點，英特爾或推出第十代處理器。2019 年 7 月 28 日，英特爾官方表示，已經(jīng)開始供貨采用 10nm 工藝制程的第十代 Ice Lake 處理器，面向筆記本市場，并且已經(jīng)獲得 OEM 廠商的認證，這也是英特爾繼推出 10nm 工藝的 i3-8121U 處理器后，大規(guī)模上市10nm工藝處理器，英特爾表示搭載Ice Lake的產(chǎn)品或?qū)⒂诘谒募径壬鲜小?/span>

??DRAM 存儲，每 4-6 年的技術(shù)升級周期

??半導(dǎo)體存儲器包括三大主流產(chǎn)品：DRAM、NAND Flash、NOR Flash。相比于處理器的8-10 年技術(shù)升級周期，存儲器的升級周期更快，市場規(guī)模也相對更大。近年來存儲芯片在半導(dǎo)體中的銷售額占比已經(jīng)明顯超過邏輯芯片，根據(jù) SIA 數(shù)據(jù)，2018 年 H1 存儲器的銷售額占比達到 32%，位居。

??DRAM 即動態(tài)隨機存取存儲器，為常見的系統(tǒng)內(nèi)存，主要用于計算機以及服務(wù)器的閃存，值得說明的是 DRAM 存儲的升級很大程度上依附于處理器的升級(以 PC 為例，CPU 性能提高了，才需要用更大的內(nèi)存)。

??韓國是全球 DRAM 存儲的，三星電子、SK 海力士等都是全球的存儲半導(dǎo)體企業(yè)，而三星電子又是該領(lǐng)域的佼佼者。在 1983 年初切入半導(dǎo)體領(lǐng)域時，三星電子就集中力量籌備存儲技術(shù) DRAM 的研發(fā)。1989 年，用了 6 年時間，三星已經(jīng)成功開發(fā)出 16M DRAM，己于全球任何一家制造商;1993 年，三星的 16M DRAM 實現(xiàn)量產(chǎn)，奠定了它在全球存儲器霸主的地位。1992 年，三星率先推出全球個 64M DRAM;1994 年，過去 2 年的時間，三星首先發(fā)布全球首塊 256MDRAM，三星在存儲技術(shù)的技術(shù)進步完美印證著摩爾定律。