今天給大家講一下關于MOS管燒毀的原因，文字比較多點，不容易讀，希望大家可以認真看完。
MOS 管可能會遭受與其他功率器件相同的故障，例如過電壓（半導體的雪崩擊穿）、過電流（鍵合線或者襯底熔化）、過熱（半導體材料由于高溫而分解）。更具體的故障包括柵極和管芯其余部分之前的極薄氧化物擊穿，這可能發(fā)生在相對于漏極或者源極的任何過量柵極電壓中，可能是在低至10V-15V 時發(fā)生，電路設計必須將其限制在安全水平。還有可能是功率過載，超過絕對最大額定值和散熱不足，都會導致MOS管發(fā)生故障。
MOS管對過壓的耐受性非常小，即使超出額定電壓僅幾納秒，也可能導致設備損壞。MOS管的額定電壓應保守地考慮預期的電壓水平，并應特別注意抑制任何電壓尖峰或振鈴。
由于導通電阻相對較高，高平均電流會在MOS管中引起相當大的熱耗散。如果電流非常高且散熱不良，則MOS管可能會因溫升過高而損壞。MOS管可以直接并聯(lián)以共享高負載電流。
持續(xù)時間短、大電流過載會導致MOS管器件逐漸損壞，但是在故障發(fā)生前MOS管的溫度幾乎沒有明顯升高，不太能察覺出來。（也可以看下面分析的直通和反向恢復部分）
如果兩個相對MOS管的控制信號重疊，則可能會出現(xiàn)兩個MOS管同時導通的情況，這會使電源短路，也就是擊穿條件。如果發(fā)生這種情況，每次發(fā)生開關轉(zhuǎn)換時，電源去耦電容都會通過兩個器件快速放電，這會導致通過兩個開關設備的電流脈沖非常短但非常強。通過允許開關轉(zhuǎn)換之間的死區(qū)時間（在此期間兩個MOS管均不導通），可以最大限度地減少發(fā)生擊穿的機會，這允許一個MOS管在另一個MOS管打開之前關閉。
當通過任何電感負載（例如特斯拉線圈）切換電流時，電流關閉時會產(chǎn)生反電動勢。在兩個開關設備都沒有承載負載電流時，必須為此電流提供續(xù)流路徑。該電流通常通過與每個開關器件反并聯(lián)連接的續(xù)流二極管安全地引導回電源軌道。當MOS管用作開關器件時，工程師可以簡單獲得MOS管固有體二極管形式的續(xù)流二極管，這解決了一個問題，但創(chuàng)造了一個全新的問題......
諸如特斯拉線圈之類的高 Q 諧振電路能夠在其電感和自電容中存儲大量能量。在某些調(diào)諧條件下，當一個MOS管關閉而另一個器件打開時，這會導致電流“續(xù)流”通過 MOS管的內(nèi)部體二極管。這個原本不是什么問題，但當對面的MOS管試圖開啟時，內(nèi)部體二極管的緩慢關斷（或反向恢復）就會出現(xiàn)問題。與MOS管 自身的性能相比，MOS管 體二極管通常具有較長的反向恢復時間。如果一個 MOS管的體二極管在對立器件開啟時導通，則類似于上述擊穿情況發(fā)生“短路”。這個問題通?？梢酝ㄟ^在每個MOS管周圍添加兩個二極管來緩解。首先，肖特基二極管與MOS管源極串聯(lián)，肖特基二極管可防止MOS管體二極管被續(xù)流電流正向偏置。其次，高速（快速恢復）二極管并聯(lián)到MOS管/肖特基對，以便續(xù)流電流完全繞過MOS管和肖特基二極管。這確保了MOS管體二極管永遠不會被驅(qū)動導通，續(xù)流電流由快恢復二極管處理，快恢復二極管較少出現(xiàn)“擊穿”問題。
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